GlobalFoudaries 前兩年看好國內芯片市場商機，欲吸引台中逢甲住宿｜台中逢甲住宿推薦本土芯片客戶下單的機會，積極打造中國第一座12寸晶圓廠，成為GlobalFoudaries除瞭美國紐約、德國德累斯頓、新加坡三地以外的第四個生產基地。
GlobalFoudaries中國佈局生變量，成都廠尋求新投資者加入，新CEO宣稱“敵人來入股也不排斥”
根據臺積電規劃，今年進入量產的7納米節點，最具承先啟後的劃時代意義，因為臺積電計劃在第一代的7納米節點，以及第二代的7納米plus節點上分別采用浸潤式微影和EUV技術，將EUV技術的良率極佳化後，再於5納米上全面將導入EUV技術，讓5納米展現最佳工藝表現。
跟隨GlobalFoudaries成都廠和FD-SOI技術佈局，GlobalFoudaries也投資一億美元在成都打造世界級的FD-SOI系統生態圈，集合知識產權開發、集成電路設計中心，孵化成都本地的無晶圓企業，成為全球FD-SOI技術的代言人。
一般來說，外企來國內設立晶圓廠，除瞭看中政府優渥的補助資金條件外，外企更是希望能借助在國內設廠，吸引眾多芯片公司過來投單，更趁勢掌握新創芯片公司的崛起趨勢。
GlobalFoudaries在與成都市合作興建12寸廠之前，原本是打算進軍重慶，但後來投資重慶的計劃告吹，GlobalFoudaries轉戰成都，與市政府合資成立在國內的首座12寸廠“Fab11”。
他日前指出，希望尋求財務支持來進入下一個技術節點，應該是3納米技術，並且要蓋新的晶圓廠，希望這個新的3納米技術晶圓廠，能和正要進入量產的7納米逢甲夜市住宿｜逢甲夜市住宿推薦技術的紐約Malta Fab 8晶圓廠搭配，但這需要美國聯邦基金的財務支持，而GlobalFoudaries的3納米技術留在美國，對於國傢安全和創造就業機會都會很有利。
該傳言出現不久後，GlobalFoudaries 新 CEO 逢甲商旅標準雙人房｜逢甲商旅標準雙人房推薦Tom Caulfield在接受外電專訪時透露，成都廠的角色目標，是要 “make it China’s factory, not just ours”，並表示歡迎客戶來入股投資，甚至也歡迎競爭對手來投資，打造多方合作的商業模式，而不是由GlobalFoudaries自己找產品把該廠填滿。
GlobalFoudaries中國佈局生變量，成都廠尋求新投資者加入，新CEO宣稱“敵人來入股也不排斥”
原標題：GlobalFoudaries中國佈局生變量，成都廠尋求新投資者加入，新CEO宣稱“敵人來入股也不排斥”
行業中港轉運站附近住宿｜中港轉運站附近住宿推薦內人士分析，會傳出GlobalFoudaries成都廠接觸三星，是因為三星對FD-SOI技術也感興趣，已經推出28納米的FD-SOI技術，並將推出18納米，或許是因為有相同的技術，因此招手三星來入股是合理的解決方案。
GlobalFoudaries新CEO表示歡迎客戶、對手入股成都廠
他的的一番談話應驗瞭 GlobalFoudaries 成都廠傳言多時的尋求策略合作夥伴入股計劃。
GlobalFoudaries過去幾年花很多心力宣傳FD-SOI技術和成都新廠， 如今卻決定引進合作夥伴，而非自己經營該廠，究竟是什麼原因？業界認為，財務問題是其中之一。
外企在國內集成電路產業具舉足輕重之位，前五大拿三席
GlobalFoudaries想建全新3納米晶圓廠 尋求美國聯邦基金援助
該廠是在去年二月動工，十月完成封頂，預計今年下半將搬入機臺設備，不過，近期GlobalFoudaries內部對於成都廠的計劃有不同想法。
近期行業內人士透露，GlobalFoudaries接觸不少半導體同行，傳出長江存儲、三星、聯電等都有被接洽，尋求接手或投資其成都廠，讓不少人感到意外，是否GlobalFoudaries借助成都廠深耕國內市場的計劃有變？
臺積電的5納米晶圓十八廠已經正式動土，計劃5納米將全面導入極紫外光EUV技術，預計2019年上半年進行風險性試產，2020年正式量產，計劃2020年之後再進3納米節點的投資，單單是3納米技術，預計投資金額就高達260億美元。
聲明：該文觀點僅代表作者本人，搜狐號系信息發佈平臺，搜狐僅提供信息存儲空間服務。
除瞭中國的投資策略轉變，Caulfield顯然對於高端技術有著濃厚興趣。
同時，Caulfield在接受外電專訪時，也表示非常認同當初GlobalFoudaries和三星合作14納米的商業模式，由三星提供14納米的技術授權給GlobalFoudaries，兩者形成策略聯盟關系，提供給客戶除瞭臺積電以外的晶圓代工廠做更多選擇。
根據GlobalFoudaries規劃，該項總投資金額高達100 億美元，預計分為兩期進行，第一期是導入主流 的CMOS 制程，預計 2018 年底投產，而第二期是規劃采用GlobalFoudaries的22納米FD-SOI技術（稱為22FDX）生產，預計 2019 年第四季度投產。
目前GlobalFoudaries提出的22納米FD-SOI技術已經在德國德累斯頓12寸廠量產，根據GlobalFoudaries對於成都廠的規劃，第一階段會先導入0.13微米和0.18微米節點，第二階段再導入FD-SOI技術，因此，對成都廠有興趣的策略投資人，可能必須綁定FD-SOI技術，之後再支付給德國廠技術授權金。
圖 | GlobalFoudaries CEO Tom Caulfield
另一方面，新人事、新氣象，新上任的CEO是傳統IBM體系出身，更是主流FinFET技術的擁護者，對於旁支的FD-SOI技術並不打算投入太多，因此，在新CEO上任後，GlobalFoudaries是否繼續支持FD-SOI技術，一直是行業內人士的疑問。
更值得玩味的是，GlobalFoudaries成都廠去年底才完成封頂，然近期傳出計劃有變，正在積極尋找策略合作夥伴入股成都廠，或接手該座晶圓廠，行業內甚至傳出紫光集團旗下的長江存儲，以及韓國半導體大廠三星，都是GlobalFoudaries接洽的對象。
成都廠被視為是GlobalFoudaries深耕國內半導體產業的重要基地，也是GlobalFoudaries在國內的首座晶圓廠，提出FD-SOI技術，是有別於摩爾定律的主流FinFET技術派別，且FD-SOI適合超低功耗、對於成本敏感的應用領域，特別鎖定國內的物聯網、車用電子、5G等市場。
根據調查，2017年國內前五大集成電路制造公司中，除瞭中芯國際和華虹半導體之外，其他三名全是外商，位居龍頭的是韓國三星西安廠，第三名是SK海力士無錫廠，第四名是英特爾大連廠，可見外企在國內發展集成電路產業的道路上，有著舉足輕重的地位。
他這一番談話，也代表GlobalFoudaries將再度以技術跳級的方式往前推進，過去GlobalFoudaries也曾跳過10納米節點，直接從14納米挑到7納米節點，這次他將再領導GlobalFoudaries的技術藍圖跳過5納米，直接從7納米轉進3納米技術。
他表示，不認為5納米技術節點具備吸引力，並不足以吸引夠多的芯片公司來投資，這些芯片公司需要的是像3納米這樣的技術，才能完整的展現性能。
Caulfield日前也和母公司阿佈達比的穆巴達拉投資公司，到美國華盛頓去遊說，希望能獲得美國聯邦基金的全力支持，爭取GlobalFoudaries興建3納米晶圓廠的機會和充足資金。
這等於宣示GlobalFoudaries在3納米節點上不會缺席，會和英特爾、臺積電、三星共同進入3納米的戰局，這時間點會在2020年之後。
全球5納米、3納米戰爭 2020年之後開戰
不過，近期的GlobalFoudaries充斥著新人事、新氣象，出身IBM體系的新上任CEO Tom Caulfield顯然對於高端FinFET技術充滿濃厚興趣，有意挑過5納米技術節點，直接挑戰3納米技術，傳出對於成都規劃的FD-SOI技術較沒興趣。
正當國內不斷加碼資金、尋找人才、突破技術/IP藩籬，加大力度投資在集成電路產業的同時，一座位於四川、中美戰略合資的12寸晶圓廠投資項目卻悄悄起瞭變化，GlobalFoudaries 前兩年精心打造的中國首座12寸廠落戶於成都，今年下半將移入機臺設備，但日前卻傳出該廠欲找買主接手，或是引進合作夥伴投資，甚至不排斥讓“敵人”進駐，這當中是發生瞭什麼事？
GlobalFoudaries在新的CEO上臺後，在高端技術上展現十足野心，要爭取一張進入3納米競賽的門票，能否獲得美國政府的資金挹註，是最大關鍵！然GlobalFoudaries整個策略藍圖的轉變，也意外牽動在國內成都廠的佈局規劃。
這幾年我們看到國內集成電路產業投入巨資，每個城市包含上海、合肥、南京、武漢都積極想要打造成為“芯片之城“，成都也有屬於自己的”芯夢想“，未來與GlobalFoudaries之間的合作將怎麼變化，大傢都很好奇。
觀察最早有SK海力士進駐無錫，在當地生產DRAM芯片，之後英特爾進駐大連，原本是生產處理器，前幾年也轉換成生產3DNAND芯片，而三星更是大規模在西安打造“芯城”，生產最先進的3D NAND技術，不可否認地，國內發展集成電路產業的路上，需與這些外企大廠互補式的前進，外企也確實占有舉足輕重的地位，未來等待國內半導體廠的羽翼漸豐，才能拉近彼此競爭距離。
-En逢甲夜市住宿｜逢甲夜市住宿推薦d-返回搜狐，查看更多
責任編輯：
GlobalFoudaries砸百億美元設立中國首座12寸廠引進FD-SOI技術
閱讀 ()
- 台中逢甲住宿｜台中逢甲住宿推薦 分享逢甲住宿便宜｜逢甲住宿便宜推薦@E@
- 逢甲夜市飯店｜逢甲夜市飯店推薦 超級推薦逢甲夜市飯店｜逢甲夜市飯店推薦～
- 逢甲住宿便宜｜逢甲住宿便宜推薦 分享朝馬住宿推薦｜台中朝馬住宿推薦～
5F49641E320DD004
留言列表
